RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
65
Rund um 57% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
65
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
8.0
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
1824
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73CB0-YK0 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link