RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
39
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
10.1
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2333
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link