RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.1
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.8
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
16.8
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
4060
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link