RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.7
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.6
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
22.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
18.6
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
4202
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link