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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
31
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.2
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.8
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
19.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
17.8
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3895
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
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