RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
14.6
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3535
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link