RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
38
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.3
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
8500
Rund um 3.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
19.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
13.1
Speicherbandbreite, mbps
8500
25600
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3246
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link