RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
36
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
6.0
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
1878
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link