RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
54
Rund um 48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
7.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
7.7
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
1611
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link