RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston KY7N41-MIE 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
33
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
12.4
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2948
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link