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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kllisre D4 8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Kllisre D4 8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
47
Rund um 40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kllisre D4 8G 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
6.7
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2143
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
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Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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