RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
32
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
8500
Rund um 3.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
13.7
Speicherbandbreite, mbps
8500
25600
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3322
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link