Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB

Gesamtnote
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Gesamtnote
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Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB

Unterschiede

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 31
    Rund um 10% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.7 left arrow 11.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.8 left arrow 7.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 8500
    Rund um 2 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    28 left arrow 31
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.7 left arrow 11.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.5 left arrow 8.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1988 left arrow 2371
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche