RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
33
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
15.8
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3482
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link