RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
33
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
14.1
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3214
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link