RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
41
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
8500
Rund um 3.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
11.7
Speicherbandbreite, mbps
8500
25600
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2847
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link