RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
38
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
10.8
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2298
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link