RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
42
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
11.9
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2737
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link