Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Gesamtnote
star star star star star
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB

SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB

Unterschiede

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 78
    Rund um 64% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.5 left arrow 6.4
    Durchschnittswert bei den Tests
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.1 left arrow 12.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 8500
    Rund um 2 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    28 left arrow 78
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.7 left arrow 13.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.5 left arrow 6.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1988 left arrow 1584
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche