Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

Gesamtnote
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

Unterschiede

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 31
    Rund um 10% geringere Latenzzeit
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.2 left arrow 12.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.9 left arrow 7.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 8500
    Rund um 3.01 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    28 left arrow 31
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.7 left arrow 17.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.5 left arrow 12.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    8500 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1988 left arrow 3100
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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