RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
39
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
9.4
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2419
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link