RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
11.8
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2900
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965516-477.A00G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link