RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.6
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.2
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
8500
Rund um 3.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
21.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
18.2
Speicherbandbreite, mbps
8500
25600
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3890
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link