RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
28
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
13.0
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2548
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link