RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
13.6
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3447
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 99U5428-040.A01LF 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link