RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
38
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
12.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
9.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
2687
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link