RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
36
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
15.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
3562
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link