RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
36
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3562
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link