RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
35
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
10.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
2601
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link