RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
35
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
11.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
2826
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link