RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
35
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2826
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link