RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
35
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
13.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
3357
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link