RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
81
Rund um 57% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
81
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
7.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
1668
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 99U5428-049.A00LF 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link