RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
36
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
12.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
2920
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link