RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
36
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
36
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2920
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link