RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
36
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
36
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2920
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link