RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
35
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
9.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
2437
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link