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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
35
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
26
Velocità di lettura, GB/s
14.4
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
2437
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
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