RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
35
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.6
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
19.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
15.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
3234
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link