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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
35
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.6
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
20
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
15.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
3234
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Comparações de RAM
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
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