RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Comparar
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Pontuação geral
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
56
Por volta de 52% menor latência
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.1
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
6.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
56
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
20.1
Velocidade de escrita, GB/s
6.7
10.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
2455
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparações de RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Unigen Corporation U51U7200N8DD-BDH 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link