RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сравнить
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
56
Около 52% меньшая задержка
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
56
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
20.1
Скорость записи, Гб/сек
6.7
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2455
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Сравнения RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link