RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сравнить
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
56
Около 52% меньшая задержка
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
56
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
20.1
Скорость записи, Гб/сек
6.7
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2455
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Сравнения RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link