RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сравнить
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
56
Около 52% меньшая задержка
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
56
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
20.1
Скорость записи, Гб/сек
6.7
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2455
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Сравнения RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link