RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
36
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
10.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
2581
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link