RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
36
Por volta de 3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
13.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
36
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
10.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
2581
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link