RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
48
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
2196
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link