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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
比較する
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
総合得点
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
総合得点
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
48
周辺 27% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
9.5
8.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.5
14.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
10600
周辺 2.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
48
読み出し速度、GB/s
14.4
17.5
書き込み速度、GB/秒
9.5
8.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
25600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2321
2196
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
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