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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
35
Rund um -25% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
12.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
9.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
2347
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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