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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
35
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
12.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
2584
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
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Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
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