RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
35
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
12.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
2807
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link