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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
35
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.3
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
13.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
3343
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