RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
35
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3343
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link